扩散载体的设计
确保硼源片插槽宽松,插槽过紧可能导致源片的损坏。槽尺寸和载体制造尺寸相关数据参见产品公告的载体设计相关内容。硼源片和磷源片尺寸相同,两种源片的载体允许使用相同设计。
清洗
清洗硼源片通常是不必要的。如果您想清洗,下面是推荐程序:
- 在80°C的NH4 OH/H202/H20(1/1/5)中浸泡8分钟或者室温下在兆声清洗系统中浸泡8分钟
- 离子化水(DI)中清洗2分钟
- 90°C下干燥10分钟
硼源片任何时候都不能接触HF或者HCI。
老化
在第一次生产使用之前,硼源片需要有一个初始化或者老化过程。这将确保所有水分蒸发,它使源片实现恒定速率的硼转化。老化在预沉积温度,25 - 50%氧气的氮气环境中进行。高温过程持续几小时,低温过程也会持续24小时之长。关于推荐的老化时间参见第一页。
请记住,硼源片对氧气不敏感。您可以根据需求任意制定你的载气中氧气浓度,以达到最佳效果。
注意:当硼源片所处的温度超过600度时,应该在每两个源片之间放置硅片,且舟的最两端应该放置硅片。
储存
应遵循正确的存储程序,避免磷源片暴露于水分中。正确的储存有助于加强源片的扩散均匀性和寿命,并改善您的设备的电气性能。
对于专用扩散管,我们建议硼源片存储在600°C左右的炉内热区中。保持足够的干燥氮气流过管道,以使回流无法接近源片。如果扩散炉还要用作它用,或不太方便储存硼源片,硼源片应存放在高于200°C的烤箱内。必须不断地往烤箱中充入足够的氮气以阻止室内空气进入烤箱内。
如果源片暴露在空气中或不小心在空气中滞留了相当长的时间,可能会因其吸收的水分影响随后的工艺。但是这也是很容易地修复。只要将源片插入扩散管并在插入温度下保持约15分钟即可。当他们从管中退出时,船也已经准备好了要加工的硅片。 |